參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： MMBTA56
2005. 11. 14
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA56
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 3
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-500
mA
Emitter Current
IE
500
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55
150
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
Type Name
Marking
Lot No.
ANX
AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURE
Complementary to MMBTA06
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-80V, IE=0
-
-100
nA
Emitter Cut-off Current
ICEO
VCE=-60V, IB=0
-
-100
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=-1mA, IB=0
-80
-
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=-1V, IC=-10mA
100
-
hFE(2)
VCE=-1V, IC=-100mA
100
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=-100mA, IB=-10mA
-
-0.25
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-100mA
-
-1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=-1V, IC=-100mA
50
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
-
14
-
pF
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PDF描述
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