參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA56
廠商： RECTRON LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商： MMBTA56
IC, COLLECTOR CURRENT, (A)
IC, COLLECTOR CURRENT, (mA)
V C
E(
SA
T)
,C
O
LL
EC
TO
R-
EM
IT
TE
R
VO
LT
AG
E,
(V
)
IC, COLLECTOR CURRENT, (A)
10
0
0.4
0.2
0.6
0.8
h F
E,
TY
PI
CA
L
PU
LS
ED
CU
RR
EN
T
G
AI
N
V B
E(
O
N)
,B
AS
E-
EM
IT
TE
R
O
N
VO
LT
AG
E,
(V
)
0
50
100
150
200
250
300
100
1
0.1
0.01
0.001
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
100
10
1000
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBTA56 )
FIG.3 BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs. COLLECTOR CURRENT
FIG.1 TYPICAL PULSE CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
FIG.2 COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
IC, COLLECTOR CURRENT, (A)
V B
E(
SA
T)
,B
AS
E-
EM
IT
TE
R
VO
LT
AG
E,
(V
)
1
0.1
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.2
100
10
1000
FIG.4 BASE-EMITTER ON VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
TA, AMBIENT TEMPERATURE, (OC)
V C
E,
CO
LL
EC
TO
R-
EM
IT
TE
R
VO
LT
AG
E,
(V
)
25
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
75
125
FIG.5 COLLECTOR-CUTOFF CURRENT
vs. AMBIENT TEMPERATURE
IB, BASE CURRENT, (mA)
I C
BO
,C
O
LL
EC
TO
R
CU
RR
EN
T,
(n
A)
3
0
2
4
6
8
10
20
5
10
30
50
FIG.6 COLLECTOR SATURATION REGION
VCB= 80V
125 OC
VCE= 1V
25 OC
-40 OC
b
=10
125 OC
25 OC
-40 OC
b
=10
-40 OC
25 OC
125 OC
-40 OC
25 OC
125 OC
VCE= 1V
TA= 25OC
100mA
10mA
IC= 1mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56/E8 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA64-13 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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