參數(shù)資料
型號： MMBTA56/E8
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 2/2頁
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代理商： MMBTA56/E8
MMBTA56
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88230
2
20-Feb-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DC Current Gain
hFE
VCE = 1V, –IC = 10mA
100
——
—
VCE = 1V, –IC = 100mA
100
——
Collector-Emitter Breakdown Voltage
–V(BR)CEO
–IC = 1mA, IB = 0mA
80
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
–V(BR)EBO
IE = 100mA, IC = 0
4.0
——
V
Collector Saturation Voltage
–VCEsat
–IC = 100mA, –IB = 10mA
——
0.25
V
Base-Emitter ON Voltage
–VBE(on)
–IC = 100mA, –IB = 10mA
——
1.2
V
–IC = 50mA, –IB = 5mA
——
1.2
Collector-Emitter Cut-off Current
–ICES
–VCE = 60V, –IB = 0
——
100
nA
Collector-Base Cut-off Current
–ICBO
–VCB = 80V, IE = 0
——
100
nA
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 1V, IC = 100mA
50
——
MHz
f = 100MHz
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA56LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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