參數(shù)資料
型號(hào): MMBTA55
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商: MMBTA55
2005. 6. 28
2/2
MMBTA55
Revision No : 3
I
- V
CCE
CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
0-2
-100
C
0
COLLECTOR
CURRENT
I
(mA)
50
DC
CURRENT
GAIN
h
FE
500
-1
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
C
FE
h
- I
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
CE(sat)
-0.01
-1
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
C
CE(sat)
V
- I
I
- V
CBE
BE
BASE-EMITTER VOLTAGE V
(V)
0
-0.2
-0.4
-100
C
0
COLLECTOR
CURRENT
I
(mA)
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-200
-300
-400
-500
COMMON EMITTER
Ta=25 C
I =0.5mA
B
-1mA
-2mA
-3mA
-5mA
0mA
-3
-10
-30
-100
-300
30
100
10
300
COMMON EMITTER
V
=-2V
CE
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
-3
-10
-30
-100
-500
-0.03
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
VOLTAGE
V
(V)
COMMON EMITTER
I /I =10
C B
Ta=100
C
Ta=-25 C
Ta=25 C
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-200
-300
-400
-500
COMMON EMITTER
V
=-2V
CE
Ta=100
C
Ta=25
C
Ta=-
25
C
COLLECTOR
POWER
DISSIPATION
P
(W)
C
100
25
0
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
Pc - Ta
50
75
100
125
150
175
0
200
300
400
500
MOUNTED ON 99.5%
ALUMINA 10 8 0.6mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56/E9 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56/E8 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56WT1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA55_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2