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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBTA14S62Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | MMBTA14S62Z |
MPSA14
/
MMBTA14
/
PZTA14
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
B = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
10,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5 V,
f = 100 MHz
125
MHz
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
250
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
-TYPI
CA
L
PU
LSE
D
C
URRE
NT
G
A
IN
(
K
)
C
FE
25 °C
125 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
COLL
ECT
O
R
E
MITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
E
SA
T
25°C
- 40 C
125 C
β = 1000
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
SA
T
25 °C
- 40 C
125 C
β = 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
S
E
EM
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
GE
(
V
)
C
BEON
V = 5V
CE
- 40 C
25 °C
125 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA14 | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA13 | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA28-13 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA14-T | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA14-TP | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA20LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA20LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA28 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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