參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA14
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 481K
代理商： MMBTA14
MMBTA14
NPN General Purpose Transistor
FEATURES
For switching and amplifier applications.
Complementary PNP Types Available (MMBTA64)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
Maximum Ratings @ TA = 25℃
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Current -Continuous
IC
300
mA
Collector Power Dissipation
PC
300
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RΘJA
417
/W
℃
Junction Temperature
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-55~+150
℃
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-base breakdown voltage
IC=100A,IE=0
VCBO
30
V
Collector-emitter breakdown voltage
IC=100uA,IB=0
VCEO
30
V
Emitter-base breakdown voltage
IE=100A,IC=0
VEBO
10
V
Collector-base cut-off current
VCB=30V,IE=0
ICBO
0.1
uA
Emitter-base cut-off current
VEB=10V,IC=0
IEBO
0.1
uA
VCE=5V,IC=10mA
hFE1
10000
V
DC current gain
VCE=5V,IC=100mA
hFE2
20000
V
Collector-emitter saturation voltage
IC=100mA,IB=0.1mA
VCE(sat)
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
IC=100mA,IB=0.1mA
VBE(sat)
2
V
Base-emitter voltage
IC=100mA,VCE=5V
VBE
2
V
Transition frequency
VCE=5V,IC=10mA,
f=100MHz
fT
50
MHz
Collector output capacitance
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
Cob
12
pF
REV. 1, Oct-2010, KSNR16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA14 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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