參數(shù)資料
型號： MMBTA14S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： MMBTA14S62Z
MPSA14
/
MMBTA14
/
PZTA14
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely
high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from
Process 05.
MMBTA14
MPSA14
PZTA14
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCES
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10
V
IC
Collector Current - Continuous
1.2
A
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA14
*MMBTA14
**PZTA14
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
125
°C/W
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
C
B
E
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1N
B
C
SOT-223
E
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
A14, Rev B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA14-TP 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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