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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA14 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | MMBTA14 |
1999. 11. 30
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA13/14
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 4
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
DARLINGTON TRANSISTOR.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
*Pulse Test : Pulse Width
300 S, Duty Cycle
2.0%
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
MARK SPEC
Type Name
Marking
Lot No.
AX
TYPE
MMBTA13
MMBTA14
MARK
AIX
AHX
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VCES
IC=0.1mA
30
-
V
Emitter Cut-off Current
ICBO
VCB=30V
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=10V
-
100
nA
DC Current Gain
MMBTA13
hFE *
IC=10mA, VCE=5V
5,000
-
MMBTA14
10,000
-
MMBTA13
IC=100mA, VCE=5V
10,000
-
MMBTA14
20,000
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=100mA, IB=0.1mA
-
1.5
V
Base-Emitter Voltage
VBE
IC=100mA, VCE=5V
-
2.0
V
Current Gain Bandwith Product
fT
IC=10mA, f=100MHz, VCE=5V
125
-
MHz
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collertor Current
IC
500
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA13 | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA14 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA28-13 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA28S62Z | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA14 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
| MMBTA14_D87Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA14_NB05232 | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MMBTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23 |
| MMBTA14_Q | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA14-7 | 功能描述:達林頓晶體管 30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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