參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6517LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MMBT6517LT3
MMBT6517LT1
http://onsemi.com
4
Figure 6. Turn-On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
t,TIME
(ns)
1.0k
20
10
Figure 7. Turn-Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
30
50
70
100
200
300
500
700
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
t,TIME
(ns)
10k
100
200
300
500
700
1.0k
2.0k
3.0k
5.0k
7.0k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
Figure 8. Switching Time Test Circuit
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
10k
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
t, TIME (ms)
Figure 9. Thermal Response
+10.8 V
-9.2 V
+VCC
2.2 k
20 k
50
W SAMPLING SCOPE
1/2MSD7000
1.0 k
VCC ADJUSTED
FOR VCE(off) = 100 V
APPROXIMATELY
-1.35 V
(ADJUST FOR V(BE)off = 2.0 V)
PULSE WIDTH
≈ 100 ms
tr, tf ≤ 5.0 ns
DUTY CYCLE
≤ 1.0%
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL VOLTAGE POLARITIES
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
SINGLE PULSE
ZqJC(t) = r(t) RqJC
ZqJA(t) = r(t) RqJA
RqJC(t) = r(t) RqJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RqJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6517LT3 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6517P 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6517 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6520LT3 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6520LT3 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT6517LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT6520LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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