參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT6517LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： MMBT6517LT3
MMBT6517LT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
200
100
10
20
50
70
VCE = 10 V
TJ = 125°C
25
°C
-55
°C
Figure 2. Current-Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
100
20
30
50
70
f,
CURRENT-GAIN
—
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
10
TJ = 25°C
VCE = 20 V
f = 20 MHz
30
Figure 3. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0
0.6
0.8
1.0
0.4
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
Figure 4. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70
2.5
R
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
RqVC for VCE(sat)
RqVB for VBE
25
°C to 125°C
-55
°C to 25°C
-55
°C to 125°C
IC
IB
+ 10
Figure 5. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
100
2.0
3.0
5.0
70
1.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
7.0
10
20
30
50
TJ = 25°C
Ccb
Ceb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6517LT3 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6517P 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6517 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT6520LT3 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6520LT3 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT6520LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6520LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT6520LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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