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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT6427-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | MMBT6427-13 |
DS30048 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMBT6427
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
V= 5V
CE
100
1000
100000
1000000
10000
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
G
AIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
A
T = 25°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.3
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.6
1.5
1.4
V= 5V
CE
Device
Packaging
Shipping
MMBT6427-7
SOT-23
3000/Tape & Reel
Notes:
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
5. For Lead Free version/RoHS Compliant version part number, please add "-F" suffix to the part number above.
Example: MMBT6427-7-F.
Ordering Information (Note 4)
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
Year
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
JK
L
M
N
P
R
ST
U
V
W
Date Code Key
Marking Information
K1D = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
K1D
YM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6429LT3 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6517LT3 | 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6517LT3 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6427-7 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7-F | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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