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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT6428LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | MMBT6428LT3 |
Amplifier Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
6428LT1
6429LT1
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
50
45
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
60
55
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBT6428LT1 = 1KM; MMBT6429LT1 = 1L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MMBT6428
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MMBT6429
V(BR)CEO
50
45
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
MMBT6428
(IC = 0.1 mAdc, IE = 0)
MMBT6429
V(BR)CBO
60
55
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc)
ICES
—
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
0.01
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.01
Adc
1. FR–5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
ON Semiconductort
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 1
643
Publication Order Number:
MMBT6428LT1/D
MMBT6428LT1
MMBT6429LT1
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6429LT3 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6517LT3 | 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6517LT3 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6517P | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6429LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6429LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6515_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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