參數(shù)資料
型號： MMBT6428LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MMBT6428LT3
MMBT6428LT1 MMBT6429LT1
http://onsemi.com
646
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
1.0
2.0
3.0
4.0
0.3
0.01
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.05
2.0
3.0
10
0.02
0.03
0.2
1.0
0.1
5.0
FE
VCE = 5.0 V
TA = 125°C
25°C
-55°C
0.7
0.5
0.2
0.3
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100
Figure 9. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.01
0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.4
TJ = 25°C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
TJ = 25°C to 125°C
-55°C to 25°C
R
VBE
,BASE-EMITTER
θ
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
-0.4
-2.0
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100
f T
,CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
8.0
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
6.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
TJ = 25°C
Ccb
Cob
Ceb
Cib
1.0
2.0
5.0
3.0
7.0 10
20
30
50 70 100
500
300
200
70
50
100
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT6429LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 55V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6515_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT6517LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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