參數資料
型號： MMBT6428LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MMBT6428LT3
MMBT6428LT1 MMBT6429LT1
http://onsemi.com
644
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 0.01 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MMBT6428
MMBT6429
hFE
250
500
250
500
250
500
250
500
—
650
1250
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0.5 mAdc)
(IC = 100 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.2
0.6
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
VBE(on)
0.56
0.66
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
700
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
3.0
pF
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
8.0
pF
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
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PDF描述
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MMBT6517LT3 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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