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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT6427-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | MMBT6427-13 |
DS30048 Rev. 6 - 2
2 of 3
MMBT6427
www.diodes.com
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
1
10
100
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.45
0.40
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.10
1.05
1.00
I
C
I
B
= 1000
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
40
V
IC = 100
mA, IE = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
40
V
IC = 10mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
12
V
IE = 10
mA, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICBO
50
nA
VCB = 30V, IE = 0
Collector Cutoff Current
ICEO
1.0
mA
VCE = 25V, IB = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO
50
nA
VEB = 10V, IC = 0
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DC Current Gain
hFE
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
IC = 10mA, VCE = 5.0V
IC = 100mA, VCE = 5.0V
IC = 500mA, VCE = 5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
1.2
1.5
V
IC = 50mA, IB = 0.5mA
IC = 500mA, IB = 0.5mA
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
2.0
V
IC = 500mA, IB = 0.5mA
Base-Emitter On Voltage
VBE(ON)
1.75
V
IC = 50mA, VCE =5.0V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Cobo
8.0 Typical
pF
VCB = 10V, f = 1.0MHz, IE = 0
Input Capacitance
Cibo
15 Typical
pF
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0
Note:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6429LT3 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6517LT3 | 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6517LT3 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6427-7 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7-F | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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