參數(shù)資料
型號： MMBT589LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MMBT589LT1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
0.1
Figure 7. Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
I
0.01
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
Figure 8. Normalized Thermal Response
t, TIME (sec)
1.0E+00
1.0E–03
1.0E–02
1E–05
0.01
0.1
1.0
100
1000
1.0E–01
0.0001
0.001
10
Rt
,
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
2 s
SINGLE PULSE TEST AT Tamb = 25
°
C
D = 0.01
0.02
0.05
r(t)
0.2
0.5
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參數(shù)描述
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MMBT589LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5962 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5962_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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