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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT589LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管) |
| 中文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | MMBT589LT1 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
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A Device of the X
Family
MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°
C)
Rating
Symbol
Max
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ICM
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
–50
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–1.0
Adc
Collector Current — Peak
–2.0
A
DEVICE MARKING
MMBT589LT1 = G3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
PD (1)
Max
Unit
Total Device Dissipation
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
310
2.5
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA (1)
PD (2)
403
°
C/W
Total Device Dissipation
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
710
5.7
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA (2)
PDsingle (3)
176
°
C/W
Total Device Dissipation
(Single Pulse < 10 sec.)
575
mW
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
1. FR–4 @ Minimum Pad
2. FR–4 @ 1.0 X 1.0 inch Pad
3. ref: Figure 8
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
X
: MicroExecutive Family of High Performance Surface Mount Devices
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by MMBT589LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT23LF (TO–236AB)
30 Volts
2.0 Amps
PNP Transistor
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMC2001 | Highly Integrated, Low-Power, 32-Bit Microcontroller |
| MMC2075 | Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder |
| MMC2075VF001 | Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder |
| MMC2080 | Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder |
| MMC2080VF001 | Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT589LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5962 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5962_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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