參數(shù)資料
型號： MMBT589LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負(fù)載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： MMBT589LT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 2. DC Current Gain versus
Collector Current
Figure 3. “On” Voltages
Figure 4. Base Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 5. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
Figure 6. Collector Emitter Saturation Voltage
versus Collector Current
10
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
200
150
100
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
130
90
70
50
100
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
0.001
1.0
0.95
0.6
0.55
0.5
1.0
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.001
1.8
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.1
0.1
h
V
V
0
0.01
0.1
1.0
10
110
150
170
10
0.1
1.0
10
,
V
10
1000
100
0.8
0.01
10
1.0
0.4
V
VCE = –2.0 V
h
190
210
230
VCE = –1.0 V
125
°
C
25
°
C
–55
°
C
0.8
0.7
0.6
0.5
0.9
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(on)
0.7
0.65
0.8
0.75
0.9
0.85
IC/IB = 100
IC/IB = 10
V
1.6
1.4
1.2
V
IC/IB = 100
IC/IB = 10
1000 mA
100 mA
50 mA
10 mA
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PDF描述
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MMBT589LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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