參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT589LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負(fù)載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管)
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： MMBT589LT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–30
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –0.1 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–50
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –0.1 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–0.1
Adc
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCES = –30 Vdc)
ICES
—
–0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –4.0 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1) (Figure 1)
(IC = –1.0 mA, VCE = –2.0 V)
(IC = –500 mA, VCE = –2.0 V)
(IC = –1.0 A, VCE = –2.0 V)
(IC = 2.0 A, VCE = –2.0 V)
Collector–Emitter Saturation Voltage (1) (Figure 3)
(IC = –0.5 A, IB = –0.05 A)
(IC = –1.0 A, IB = 0.1 A)
(IC = –2.0 A, IB = –0.2 A)
Base–Emitter Saturation Voltage (1) (Figure 2)
(IC = –1.0 A, IB = –0.1 A)
Base–Emitter Turn–on Voltage (1)
(IC = –1.0 A, VCE = –2.0 V)
IEBO
—
–0.1
Adc
hFE
100
100
80
40
—
300
—
—
VCE(sat)
—
—
—
–0.25
–0.30
–0.65
V
VBE(sat)
—
–1.2
V
VBE(on)
—
–1.1
V
Cutoff Frequency
(IC = –100 mA, VCE = –5.0 V, f = 100 MHz)
fT
100
—
MHz
Output Capacitance (f = 1.0 MHz)
Cobo
—
15
pF
1. Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle
≤
2%
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MMBT589LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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