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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5550 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | MMBT5550 |
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT5550 )
2.5
Figure5. Temperature Coefficients
Q V
,T
EM
PE
RA
TU
RE
CO
EF
FI
CI
EN
T
(m
V/
O C
)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0.1 0.2
0.5
3.0
30
0.3
VC for VCE(sat)
VB for VBE(sat)
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
IC,COLLECTOR CURRENT (mA)
C,
CA
PA
CI
TA
NC
E
(p
F)
100
1.0
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
0.7
3.0
7.0
Figure 6. Capacitances
TJ=25OC
Cibo
Cobo
1000
0.3
1 .0
10 20 30 50
0.5
0.2
t,
TI
M
E
(n
S)
t,
TI
M
E
(n
S)
10
20
30
50
100
200
300
500
2.0
100
200
3.0 5 .0
IC/IB=10
TJ=25OC
tr@VCC=120V
tr@VCC=30V
VCC=120V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
50
100
200
300
500
3000
2000
1000
0.3
1.0
10
2030 50
0.5
0.2
2.0
100
200
3.0 5.0
IC/
V =120V
CC
IB=10
TJ=25OC
tr@VCC=120V
td@VEF(off)=1.0V
Figure 7. Turn-On Time
Figure 8. Turn-Off Time
VR, REVERSE VOLAGE (VOLTS)
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
td @ VEB(off)=1.0V
TJ=-55OC to +135OC
tr@VCC=30V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551L-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5550 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5550LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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