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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5550 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | MMBT5550 |
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h F
E,
DC
CU
RR
EN
T
G
AI
N
V C
E,
CO
LL
EC
TO
R-
-E
NI
TT
ER
VO
LT
AG
E
(V
)
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT5550 )
Figure 1. DC Current Gain
500
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
30
20
300
100
50
7.0
-55
OC
25
OC
VCE = 1.0 V
VCE = 5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0
0.3
0.005
0.01
0.2
0.5
1.0
2.0
20
50
0.8
0.5
0.4
0.9
0.7
0.6
0.2
0.02
0.05
0.1
10
0.1
10 mA
30 mA
100 mA
5.0
IC = 1.0 mA
FIgure 3. Collector Cut-Off Region
101
10-5
0.4 0.3
0.1
100
10-1
10-2
10-3
10-4
0.2
0
0.1 0.2
0.4
0.3
0.6
0.5
VCE = 30 V
IC = ICES
IC
,C
O
LL
EC
TO
R
C
U
R
EN
T
(u
A)
V,
VO
LT
AG
E
(V
)
REVERSE
FORWARD
1.0
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100
0.1 0.2
0.5
0.8
0.6
0.4
0.2
0
3.0
30
0.3
TJ=25OC
VBE(sat) @ IC/IB=10
VCE(sat) @ IC/IB=10
IC, COLLECT OR CURRENT (mA)
Figure 4. "On" Voltages
VBE, BASE--ETMITTER VOLTAGE (VOLTS)
T = 125
oC
J
TJ=125OC
25OC
75OC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551L-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5550 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5550LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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