參數(shù)資料
型號(hào): MMBT5551L-C-AE3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商: MMBT5551L-C-AE3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT5551
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-010,F
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
* High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V
* High current gain
Lead-free: MMBT5551L
Halogen-free: MMBT5551G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
12
3
Packing
MMBT5551-x-AE3-R
MMBT5551L-x-AE3-R
MMBT5551G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5551G-A-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551-A-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551G-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5551LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5551LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMBT5551LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2