參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5551
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： MMBT5551
MMBT5551
NPN Plastic
Encapsulate
Transistor
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
Features
Collector Current: ICM=0.6A
Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=180V
Operating And Storage Temperatures –55
OC to 150OC
Capable of 0.3Watts of Power Dissipation
Marking: G1
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
Electrical Characteristics @ 25
OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector -Emitter Breakdown Voltage
(IC=1.0mAdc, IB=0)
160
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100uAdc, IE=0)
180
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
6.0
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=120Vdc, IE=0)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=4.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE-1
DC Current Gain
(VCE=5.0Vdc, IC=1.0mAdc)
80
---
hFE-2
DC Current Gain
(VCE=5.0Vdc, IC=10mAdc)
100
200
---
hFE-3
DC Current Gain
(VCE=5.0Vdc, IC=50mAdc)
50
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)
---
0.5
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=50mAdc,IB=5.0mAdc)
---
1.0
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain-Bandwidth Product
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=30MHz)
100
---
MHz
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
A
B
C
D
E
F
GH
J
Revision: 4
2008/01/01
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
www.mccsemi.com
1 of 2
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5771L99Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5771S62Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
MMBT5551_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*