參數(shù)資料
型號： MMBT589
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： MMBT589
MMBT589
PNP General Purpose Transistor
FEATURES
High current surface mount PNP silicon switching
transistor for load management in portable applications
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
Maximum Ratings @ TA = 25℃
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
-50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current -Continuous
IC
-1
A
Collector Power Dissipation
PC
310
mW
Thermal Resistance, junction to Ambient
RΘJA
403
℃/W
Junction Temperature
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-55~+150
℃
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-base breakdown voltage
IC=-100A,IE=0
VCBO
-50
V
Collector-emitter breakdown voltage
IC=-10mA,IB=0
VCEO
-30
V
Emitter-base breakdown voltage
IE=-100A,IC=0
VEBO
-5
V
Collector-base cut-off current
VCB=-30V,IE=0
ICBO
-0.1
uA
Collector-emitter cut-off current
VCES=-30V
ICES
-0.1
uA
Emitter-base cut-off current
VEB=-4V,IC=0
IEBO
-0.1
uA
VCE=-2V,IC=-1mA
hFE1
100
V
VCE=-2V,IC=-500mA
hFE2
100
300
V
VCE=-2V,IC=-1A
hFE3
80
V
DC current gain
VCE=-2V,IC=-2A
hFE4
40
V
IC=-500mA,IB=-50mA
VCE(sat)1
-0.25
V
IC=-1A,IB=-100mA
VCE(sat)2
-0.3
Collector-emitter saturation voltage
IC=-2A,IB=-200mA
VCE(sat)3
-0.65
Base-emitter saturation voltage
IC=-1A,IB=-100mA
VBE(sat)
-1.2
V
Base-emitter saturation voltage
IC=-1A,VCE=-2V
VBE(ON)
-1.1
V
Transition frequency
VCE=-5V,IC=-100mA,
f=100MHz
fT
100
MHz
Collector output capacitance
f=1MHz
Cob
4.5
pF
REV. 1, Oct-2010, KSPR16
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PDF描述
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