- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95969 > MMBT5550 (RECTRON LTD) 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5550 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | MMBT5550 |
FEATURES
*
Power dissipation
PCM:
0.225 W(Tamb=25OC)
Collector current
ICM:
0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 160 V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg:
MECHANICA DATA
*Case: Molded plastic
*Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
*Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
*Mounting position: Any
*Weight: 0.008 gram
SOT-23
2007-5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA = 25OC unless otherwise noted)
MAXIMUM RATINGS (@ TA = 25OC unless otherwise noted)
Notes :
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNITS
417
oC/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
RATINGS
Max. Steady State Power Dissipation (1) @TA=25oC
Max. Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
PD
TJ
TSTG
RQJA
VALUE
MAX.
-
TYP.
-
MIN.
UNITS
mW
225
1. Alumina=0.4*0.3*0.024 in. 99.5% alumina.
2. "Fully ROHS Compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".
150
-55 to +150
oC
-55 OC to + 150OC
MMBT5550
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS
TRANSISTOR(NPN)
Dimensions in inches and (millimeters)
0.118(3.00)
0.012(0.30)
0.020(0.50)
0.003(0.08)
0.006(0.15)
0.110(2.80)
0.019(2.00)
0.071(1.80)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
1
3
BASE
EMITTER
COLLECTOR
2
1
3
2
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
0.047(1.20)
0.055(1.40)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551L-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-A-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551G-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5550 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5550LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。