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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5550 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | MMBT5550 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1) (IC= 1.0mAdc, IB=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= 100uAdc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= 10uAdc, IC= 0)
Collector Cutoff Current (VCB= 100Vdc, IE= 0)
(VCB= 100Vdc, IE= 0, TA= 100
OC)
DC Current Gain (IC= 1.0mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 50mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 10mAdc, VCE= 5.0Vdc)
V(BR)CEO
140
-
Vdc
V(BR)CBO
160
-
Vdc
V(BR)EBO
6.0
-
Vdc
ICBO
-
100
-
100
Emitter Cutoff Current (VEB= 4.0Vdc, IC= 0)
IEBO
-
50
nAdc
hFE
60
-
60
250
20
-
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
Vdc
VCE(sat)
-
0.15
-
0.25
Vdc
VBE(sat)
-
1.0
-
1.2
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
Note: Pluse Test : Pluse Width = 300mS, Duty Cycle = 2.0%
uAdc
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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