參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401
廠商： RECTRON LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： MMBT5401
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT5401 )
Figure 1. DC Current Gain
Figure 3. Collector Cut-Off Region
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
100
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
h F
E,
CU
RR
EN
T
G
AI
N
VC
E,
CO
LL
EC
TO
R-
EM
IT
TE
R
VO
LT
AG
E
(V
)
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
I C
,C
O
LL
EC
TO
R
CU
RR
EN
T
(u
A)
V,
VO
LT
AG
E
(V
)
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3 0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Figure 4. "On" Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
30
100
150
200
20
TJ=125
OC
70
50
VCE = -1.0V
VCE = -5.0V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
103
102
101
100
10-1
10-2
10-3
IC = 1.0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
REVERSE
0.4
0.6
0.7
1.0
0.2
0
0.9
0.8
0.5
0.3
0.1
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
IC=ICES
VCE= 30V
25
OC
-55
OC
TJ=25
OC
TJ=125
OC
75
OC
25
OC
FORWARD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5550LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5550LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5550 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551L-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5401 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23
MMBT5401_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*