- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95969 > MMBT5401 (RECTRON LTD) 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5401 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | MMBT5401 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -1.0 mAdc, IB= 0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -100uAdc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -10uAdc, IC= 0)
(VCE= -120Vdc, IE=0, TA= 100OC)
Collector Cutoff Current (VCB= -120Vdc,IE=0)
DC Current Gain (IC= -1.0mAdc, VCE= -5.0Vdc)
(IC= -50mAdc, VCE= -5.0Vdc)
(IC= -10mAdc, VCE= -5.0Vdc)
V(BR)CEO
-150
-
Vdc
V(BR)CBO
-160
-
Vdc
V(BR)EBO
-5.0
-
Vdc
ICES
-
-50
-
-50
hFE
50
-
60
240
50
-
uAdc
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= -10mAdc, IB= -1.0mAdc)
(IC= -50mAdc, IB= -5.0mAdc)
Vdc
VCE(sat)
-
-0.2
-
-0.5
Vdc
VBE(sat)
-
-1.0
-
-1.0
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= -10Adc, IB=-1.0mAdc)
(IC= -50mAdc, IB= -5.0mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
100
300
MHz
Current-Gain-Bandwidth Product (IC= -10mAdc, VCE= -10Vdc, f= 100MHz)
Cobo
-
6.0
pF
-
hfe
NF
40
200
-
8.0
dB
Output Capacitance (VCB= -10Vdc, IE= 0, f= 1.0MHz)
Noise Figure (VCE= -5.0Vdc, IC= -200uAdc, RS=10W, f= 1.0kHz)
Small-Signal Current Gain (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5550LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5551LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5550LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5550 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5551L-C-AE3-R | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23 |
| MMBT5401_D87Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。