參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3906T/R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 131K
代理商： MMBT3906T/R
MMBT3906T
—
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBT3906T Rev. 1.0.0
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Base- Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector- Base Leakage Current
Figure 5. Collector- Base Capacitance
Figure 6. Power Derating
1
10
100
10
100
Vce=1V
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
T
J
=-25
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C
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Collector Current, [mA]
10
100
1000
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T
J
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T
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V]
Collector Current, [mA]
10
100
1000
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T
J
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T
J
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oC
T
J
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oC
T
J
=125
oC
Base-
Em
it
ter
V
o
lt
age,
[m
V]
Collector Current, [mA]
10
20
30
40
1
10
100
T
J
=-25
oC
T
J
=25
oC
T
J
=75
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T
J
=125
oC
Base-Col
le
c
tor
Leakag
e
C
u
rr
ent,
[n
A]
Base-Collector Revere Voltage, [V]
05
10
6
8
9
11
12
f=1mhz
B
a
se-
Co
llecto
r
Juntion
Capacita
n
ce,
C
ob
[pF
]
Base- Collector Reverse Voltage, V
cb
[V]
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
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Po
w
e
rD
iss
ip
at
io
n,
[m
W
]
Ambient Temperature, T
a
[
oC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3906T/R_NL 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906T 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906T 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBT3906TT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906TT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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