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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3906RFG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | MMBT3906RFG |
MMBT3906
350mW, PNP Small Signal Transistor
Small Signal Diode
Rating and Sharacteristic Curves
Version :
C10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906T/R13 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R_NL | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3906SL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906SL_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| MMBT3906T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:TRANSISTOR PNP SO |
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