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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3906RFG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | MMBT3906RFG |
MMBT3906
350mW, PNP Small Signal Transistor
Small Signal Diode
Electrical Characteristics
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
IE= 0
V
IB= 0
V
IC= 0
V
nA
IC= -0.1mA
IC= -1mA
IC= -50mA
IC= -100mA
Collector-Emitter saturation voltage
IB= -1mA
IC= -50mA
IB= -5mA
Base-Emitter saturation voltage
IB= -1mA
V
IB= -5mA
VCE= -20V
f= 100MHz
MHz
VCB= -5V
IE=0
f= 1MHz
Vcc=-3V
Ic=-10mA
nS
IB1=-1.0mA
nS
Ic=-10mA
nS
Tape & Reel specification
Carrier width
Carrier length
Carrier depth
Sprocket hole
Reel outside diameter
Reel inner diameter
Feed hole width
Sprocke hole position
Punch hole position
Sprocke hole pitch
Embossment center
Overall tape thickness
Tape width
Reel width
-
IC= -50mA
VBE(sat)
-
VCE(sat)
Storage time
Vcc=-3V
ts
DC current gain
VCE= -1V
Output capacitance
Cobo
Fall time
IB1=IB2=-1.0mA
tf
-
12.30 ±0.20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
2.00 ±0.05
Emitter-Base Breakdown Voltage
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
W
Collector Base Cut-off Current
hFE
Emitter Base Cut-off Current
V(BR)CBO
IEBO
ICBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Symbol
-
-50
T
D1
D2
E
F
P0
P1
-
-0.65
W1
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
IC= -10mA
Gain-bandwidth product
Delay time
Rise time
VBE=-0.5V
250
fT
td
-
-5
VCE= -1V
30
VEB= -6V
VCE= -1V
80
VCE= -1V
60
100
60
Min
Max
-50
Type Number
IC= -10μA
IC= -1mA
IE= -10μA
VCB= -30V
-40
55 Min
tr
Item
Symbol
Dimension(mm)
A
B
-35
-
1.50 ± 0.10
-0.25
-0.85
35
300
-0.4
V
-0.95
4.5pF
178 ± 1
d
D
225
C
75
Top Cover Tape
Carieer Tape
Any Additional Label (If Required)
TSC label
W1
D1
D2
D
T
C
d
P1
P0
A
B
F
W
E
Direction of Feed
Version : C10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906T/R13 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R_NL | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3906SL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 200mA PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906SL_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| MMBT3906T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:TRANSISTOR PNP SO |
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