- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95966 > MMBT3906T/R13 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3906T/R13 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | MMBT3906T/R13 |
PAGE . 1
REV.0.0-JUL.9.2008
MMBT3906
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
225 mWatts
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -40V
Collector current IC = -200mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
Marking: S2A
POWER
ABSOLUTE RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
1
Base
3
Collector
2
Emitter
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Top View
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
ll
o
CVCEO
0
4
-V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
ll
o
CVCBO
0
4
-V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
EVEBO
0
.
5
-V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
-
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
CI C
0
2
-A
m
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
)
1
e
t
o
N
(
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
r
e
w
o
P
x
a
MPTOT
5
2
2W
m
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
TR
θJA
6
5
O
W
/
C
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
n
o
i
t
c
n
u
JTJ
0
5
1
o
t
5
-
OC
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
STSTG
0
5
1
o
t
5
-
OC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T/R_NL | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906T | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3906T-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT3906T-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。