- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377988 > MMBT3640LT1 (樂山無線電股份有限公司) Switching Transistor(PNP Silicon) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3640LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Switching Transistor(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 開關(guān)晶體管（民進(jìn)黨硅） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | MMBT3640LT1 |
PN3640
MMBT3640
PNP Switching Transistor
This device is designed for very high speed saturate switching at
collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See
PN4258 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN3640
350
2.8
125
357
*MMBT3640
225
1.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
556
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
12
12
4.0
200
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 2J
P
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3646 | Switching Transistor |
| MMBT3702 | PNP General Purpose Amplifier |
| MMBT3904K | NPN Epitaxial Silicon Transistor, General Purpose Transistor |
| MMBT3906K | High-Voltage, High-Current Operational Amplifier 5-DDPAK/TO-263 |
| MMBT4126 | PNP General Purpose Amplifier(PNP型通用放大器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3645 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| MMBT3646 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3646_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3702 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3702_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。