參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3646
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Switching Transistor
中文描述： 300 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： MMBT3646
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, November 2002
M
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
P
D
Total Device Dissipation
- Derate above 25
°
C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Off Characteristics
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I
C
= 100
μ
Adc, V
BE
= 0)
V
CEO(
SUS
)
Collector-Emitter Sustaining Voltage (1) (I
C
= 10mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage (I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
= 100
μ
Adc, I
C
= 0)
I
CES
Collector Cut-off Current (V
CE
= 20Vdc, V
BE
= 0)
Parameter
Value
15
40
40
5
300
625
5
150
Units
V
V
V
- Continuous
@ T
A
=25
°
C
mA
mW
mW/
°
C
°
C
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
40
15
40
5
V
V
V
V
μ
A
(V
CE
= 20Vdc, V
BE
= 0, T
A
= 65
°
C)
0.5
3
On Characteristics (1)
h
FE
DC Current Gain (I
C
= 30mAdc, V
CE
= 0.4Vdc)
(I
C
= 100mAdc, V
CE
= 0.5Vdc)
(I
C
= 300mAdc, V
CE
= 1Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 30mAdc, I
B
= 3mAdc)
30
25
15
120
V
CE(sat)
(I
C
= 100mAdc, I
B
= 10mAdc)
(I
C
= 300mAdc, I
B
= 30mAdc)
(I
C
= 30mA, I
B
= 3mA, T
A
=65
°
C)
0.2
0.28
0.5
0.3
0.95
1.2
1.7
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage (I
C
= 30mAdc, I
B
= 3mAdc)
(I
C
= 100mAdc, I
B
= 10mAdc)
(I
C
= 300mAdc, I
B
= 30mAdc)
0.73
V
MMBT3646
Switching Transistor
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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MMBT3646_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3702 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3702_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3903 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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