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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4126 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP General Purpose Amplifier(PNP型通用放大器) |
| 中文描述： | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | MMBT4126 |
2N4126
MMBT4126
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier and switching
applications at collector currents to 10
μ
A as a switch and to 100
mA as an amplifier. Sourced from Process 66. See 2N3906 for
characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
25
25
4.0
200
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N4126
625
5.0
83.3
200
*MMBT4126
350
2.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
2
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: ZF
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述 |
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