參數(shù)資料
型號： MMBT4356
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 800 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： MMBT4356
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, November 2002
M
Absolute Maximum Ratings *
T
A
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector current
T
J
, T
stg
Operating and Storate Junction Temperature Range
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired
NOTES:
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
C
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Parameter
Value
-80
-80
-5.0
-800
-55 ~ +150
Units
V
V
V
mA
°
C
- Continuous
Parameter
Max.
350
2.8
357
Units
mW
mW/
°
C
°
C/W
MMBT4356
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers and
switches requiring collector currents to 500mA.
Sourced from process 67.
See TN4033A for characteristics.
SOT-23
Mark: 82
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
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