參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3702
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： MMBT3702
M
Discrete POWE R & Signal
Technologies
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from
Process 63. See PN2907A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
25
40
5.0
800
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPS3702
625
5.0
83.3
200
*MMBT3702
350
2.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
C
B
E
SOT-23
Mark: 137
MMBT3702
MPS3702
CBE
TO-92
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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PDF描述
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