參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching Transistors NPN Silicon(NPN型開關(guān)晶體管)
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MMBT2369ALT1
MMBT2369LT1, MMBT2369ALT1
http://onsemi.com
5
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
I
C
= 3 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 30 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 100 mA
T
J
= 25
°
C
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 12. Maximum Collector Saturation Voltage Characteristics
h
V
C
°
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Minimum Current Gain Characteristics
V
CE
= 1 V
T
J
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
15
°
C
55
°
C
T
J
= 25
°
C and 75
°
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.21
2
5
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Saturation Voltage Limits
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.50
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Typical Temperature Coefficients
β
F
= 10
T
J
= 25
°
C
MAX V
BE(sat)
MIN V
BE(sat)
MAX V
CE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(55
°
C to +25
°
C)
(55
°
C to +25
°
C)
(25
°
C to 125
°
C)
VC
for V
CE(sat)
VB
for V
BE(sat)
55
°
C to +25
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.4 mV/
°
C
25
°
C to 125
°
C
±
0.15 mV/
°
C
±
0.3 mV/
°
C
VC
VB
APPROXIMATE DEVIATION
FROM NOMINAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(低噪聲晶體管)
MMBT2907ALT1 General Purpose Transistor(通用晶體管)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor PNP Silicon(硅PNP通用晶體管)
MMBT3906LT3 General Purpose Transistor PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
MMBT3906TT1 General Purpose Transistors PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2369ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
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