參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching Transistors NPN Silicon(NPN型開關(guān)晶體管)
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： MMBT2369ALT1
MMBT2369LT1, MMBT2369ALT1
http://onsemi.com
4
6
5
4
3
2
1
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
REVERSE BIAS (VOLTS)
C
S
LIMIT
TYPICAL
C
ob
C
ib
T
J
= 25
°
C
Figure 6. Junction Capacitance Variations
100
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Typical Switching Times
β
F
= 10
V
CC
= 10 V
V
OB
= 2 V
t
r
(V
CC
= 3 V)
V
CC
= 10 V
t
d
t
s
t
r
t
f
25
°
C
100
°
C
Q
T
,
β
F
= 10
500
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Maximum Charge Data
10
20
50
100
200
2
5
10
20
50
100
V
CC
= 10 V
Q
T
,
β
F
= 40
Q
A
, V
CC
= 10 V
Q
A
, V
CC
= 3 V
C
+5 V
0
t
1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t
1
) = 5 s
DUTY CYCLE = 2%
3 V
270
4.3 k
C
s
* < 4 pF
V
10 pF MAX
VALUES REFER TO
I
C
= 10 mA TEST
Figure 9. Q
T
Test Circuit
+6 V
4 V
0
t
1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t
1
) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
10 V
980
500
C
s
* < 3 pF
C
C
OPT
TIME
C < C
OPT
C = 0
Figure 10. TurnOff Waveform
Figure 11. Storage Time Equivalent Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(低噪聲晶體管)
MMBT2907ALT1 General Purpose Transistor(通用晶體管)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor PNP Silicon(硅PNP通用晶體管)
MMBT3906LT3 General Purpose Transistor PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
MMBT3906TT1 General Purpose Transistors PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2369ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2369-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
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