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參數資料
| 型號： | MMBT2222AT-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | MMBT2222AT-13 |
DS30268 Rev. 5 - 2
4 of 4
MMBT2222AT
www.diodes.com
1
10
100
1000
1
10
100
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
V= 5V
CE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222AT/R13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222A | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AT/R | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2222AT | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT/R13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2222AT-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222AT-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATB | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR |
| MMBT2222A-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATR | 制造商:All American Misc. 功能描述: |
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