參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222AT/R13
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 140K
代理商： MMBT2222AT/R13
PAGE . 1
REV.0-JUN.21.2005
DATA SHEET
MMBT2222A
.083(2.10)
.020(.50)
.006(.15)
.119(3.00)
.056(1.40)
.103(2.60)
.044(1.10)
.007(.20)MIN
.066(1.70)
.006(.15)MAX
.013(.35)
.002(.05)
.110(2.80)
.047(1.20)
.086(2.20)
.035(0.90)
SOT- 23
Unit: inch (mm)
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
225 mWatts
FEATURES
NPN epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = 40V
Collector current IC = 600mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
Marking: M2A
POWER
ABSOLUTE RATINGS
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
l
o
C
V CEO
0
4V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
C
V CBO
5
7V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
E
V EBO
0
.
6V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
-
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
l
o
C
IC
0
6A
m
THERMAL CHARACTERISTICS
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
)
1
e
t
o
N
(
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
r
e
w
o
P
x
a
M
P TO T
5
2
2W
m
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
T
R
θJA
6
5
O
W
/
C
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
n
o
i
t
c
n
u
J
TJ
0
5
1
o
t
5
-
O C
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
S
I
T STG
0
5
1
o
t
5
-
O C
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222A 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R7 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222AT-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
MMBT2222ATT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*