參數(shù)資料
型號： MMBT2222AT/R13
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 140K
代理商： MMBT2222AT/R13
PAGE . 3
REV.0-JUN.21.2005
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
350
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
h
FE
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
on)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (m A)
V
CE
(sat
)(
m
V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
s
a
t)
(V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
T
J = 100 C
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, VR (V)
C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF
)
CIB (EB)
COB (CB)
f=1 MHz
Fig. 3. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE vs Collector Current
Fig. 5. Typical VCE (sat) vs Collector Current
Fig. 6. Typical VBE (sat) vs Collector Current
Fig. 7. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2222A 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R7 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT2222ATT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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