參數(shù)資料
型號: MMBT2222AT/R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 127K
代理商: MMBT2222AT/R
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2000 Apr 11
2004 Jan 16
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MMBT2222A
NPN switching transistor
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R7 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT3 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AW 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222AT-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
MMBT2222ATT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2