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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2222AT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | MMBT2222AT/R |
2004 Jan 16
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN switching transistor
MMBT2222A
FEATURES
High current (max. 600 mA)
Low voltage (max. 40 V).
APPLICATIONS
Switching and linear amplification.
DESCRIPTION
NPN switching transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: PMBT2907A.
MARKING
Note
1.
* = p : Made in Hong Kong.
* = t : Made in Malaysia.
* = W : Made in China.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
MMBT2222A
7C*
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
handbook, halfpage
2
1
3
MAM255
Top view
2
3
1
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
ORDERING INFORMATION
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
TYPE
NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
MMBT2222A
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
75
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
40
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
6
V
IC
collector current (DC)
600
mA
ICM
peak collector current
800
mA
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
250
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222AT | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT/R13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT/R7 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AWT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AW | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222AT-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222ATT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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