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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT2222AT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | MMBT2222AT/R |
2004 Jan 16
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN switching transistor
MMBT2222A
handbook, full pagewidth
RC
R2
R1
DUT
MLB826
Vo
RB
(probe)
450
(probe)
450
oscilloscope
VBB
Vi
VCC
Fig.2 Test circuit for switching times.
Vi = 9.5 V; T = 500 s; tp = 10 s; tr = tf ≤ 3 ns.
R1 = 68
; R2 = 325 ; R
B = 325 ; RC = 160 .
VBB = 3.5 V; VCC = 29.5 V.
Oscilloscope: input impedance Zi = 50 .
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMBT2222ATT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT2222ATT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ATT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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