參數(shù)資料
型號： MMBT2222AT-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 82K
代理商： MMBT2222AT-13
DS30268 Rev. 5 - 2
3 of 4
MMBT2222AT
www.diodes.com
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2 Typical DC Current Gain vs
Collector Current
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V
= 1.0V
CE
0
100
150
50
200
250
0100
200
P
,
POWER
DISSIP
A
T
ION
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Power Derating Curve
(see Note 1)
0.001
0.01
1
10
0.1
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I , BASE CURRENT (mA)
B
Fig.4 Typical Collector Saturation Region
V
,
COLLECT
OR-EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
CE
I= 1mA
C
I= 10mA
C
I= 30mA
C
I= 100mA
C
I = 300mA
C
1.0
5.0
20
10
30
0.1
10
1.0
50
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
REVERSE VOLTS (V)
Fig.3 Typical Capacitance
Cobo
Cibo
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR
T
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
C
I
B
=10
1
0.1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6 Base Emitter Voltage vs. Collector Current
0.2
0.3
0.4
0.6
0.5
0.8
0.7
1.0
0.9
V= 5V
CE
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2222AT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AWT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT2222AT-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT2222ATR 制造商:All American Misc. 功能描述:
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