參數(shù)資料
型號： MJE18004D2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 466K
代理商： MJE18004D2
9
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 =
∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired Ib1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired Ib1
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
Iout
A
1
μ
F
RB2
RB1
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 28. Forward Bias Safe Operating Area
100
0.01
1000
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 29. Reverse Bias Safe Operating Area
6
2
0
1000
200
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
4
100
600
1
0.1
I
I
DC
5 ms
1 ms
10
μ
s
1
μ
s
EXTENDED
SOA
3
1
0 V
–1.5 V
–5 V
TC
≤
125
°
C
GAIN
≥
5
LC = 2 mH
10
5
400
800
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PDF描述
MJE18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
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參數(shù)描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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