參數(shù)資料
型號： MJE18004D2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 466K
代理商： MJE18004D2
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 13. Resistive Switch Time, ton
3200
0
4
2
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
t
2400
1600
800
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 20
μ
s
Figure 14. Resistive Switch Time, toff
5
2
0
4
3
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 15. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
4
2
0
4
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
3
1
3
t
μ
t
μ
4
1
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 20
μ
s
2
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
Figure 16. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 10
2
IC/IB = 5
4
2
0
4
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
3
1
t
μ
2
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
IC/IB = 10
Figure 17. Inductive Switching Time,
tc & tfi @ IC/IB = 5
1000
0
4
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
t
800
600
200
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
400
2
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
IC/IB = 5
Figure 18. Inductive Switching Time,
tfi @ IC/IB = 10
1000
0
4
1
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
t
800
600
200
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
400
2
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
IC/IB = 10
tc
tfi
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PDF描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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