參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18004D2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 466K
代理商： MJE18004D2
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
,
t
μ
s
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 19. Inductive Switching, tc @ IC/IB = 10
1600
800
0
4
2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
1200
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
400
1
3
IC/IB = 10
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
Figure 20. Inductive Storage Time
5
2
20
0
hFE, FORCED GAIN
4
3
5
10
15
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC = 2 A
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
IC = 1 A
Figure 21. Inductive Fall Time
1000
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
Figure 22. Inductive Crossover Time
2000
500
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
1500
1000
600
t
t
800
400
200
4
6
10
12
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
14
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
14
16
18
IC = 1 A
IC = 2 A
IC = 2 A
IC = 1 A
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi
4
2
1
4
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
1
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
μ
H
3
t
μ
2
2.5
3
3.5
IB = 50 mA
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA
IB = 1 A
Figure 24. Forward Recovery Time, TFR
420
300
2
1
0.5
0
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
dI/dt = 10 A/
μ
s
TC = 25
°
C
1.5
t
380
340
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PDF描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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