參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18004D2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 466K
代理商： MJE18004D2
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
(ICBO = 1 mA)
Emitter–Base Breakdown Voltage
12
14
Vdc
500
@ TC = 125
°
C
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc)
@ TC = 25
°
C
0.8
1
@ TC = 25
°
C
0.38
0.5
°
C
1.6
@ TC = 125
°
C
0.28
0.6
DC Current Gain
@ TC = 125
°
C
4
6
°
C
@ TC = 125
C
18
14
28
20
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
@ 1
μ
s
@ TC = 25
°
C
VCC = 300 V
Dynamic Saturation
IB1 = 100 mA
°
C
VCE(dsat)
9
9
V
3
μ
s respectively after
@ 1
s
C
@ TC = 125
°
C
11
18
@ 3
μ
s
@ TC = 25
°
C
1.4
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PDF描述
MJE18004 POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 1000 VOLTS 35 and 75 WATTS
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參數(shù)描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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